Intel Core 2 Duo Mikroprozessor Spezifikationen

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Prozessorfamilie:

Intel Core 2 Duo Mobile

Prozessor Modell:

T8100

Prozessor:

2.10/3M/800

OEM/Tray OPN:

EC80577GG0453M / EC80577GG0453MN

Markteinführung:

07.01.2008

Marktsegment:

Mobile

Prozessortakt:

2100 MHz

Systemtakt / Systembustakt:

200 MHz / 800 MHz quad-pumped (bis zu 6,4 GB/sek Datentransfer)

Prozessortyp:

479-ball micro Flip-Chip Ball Grid Array (mFC-BGA)

Sockel:

BGA479

Intel OEM/Tray sSpec:

Q7ZA, SLAPS, SLAXG, SLAYU

Low-Power Unterstützung:

Powermanagement
System Management Mode
Taktkontrolle und Low-Power States
   # Core Low Power States
     - C1/AutoHALT Powerdown state
     - C1/MWAIT Powerdown state
     - Core C2, C3, C4, und C6 State
   # Package Low Power States
     - Stop Grant und Stop Grant snoop state
     - Sleep, Deep Sleep, Deeper Sleep and Enhanced Deeper Sleep state
     - Deep Power Down state
     - Dynamic Cache sizing
Enhanced Intel Speedstep Technology
Enhanced Dynamic Acceleration Technology
FSB Low Power Enhancements
     - Dynamic FSB Power Down
     - BPRI# control for address and control input buffers
     - Dynamic Bus Parking
     - Dynamic On-die termination disabling
     - Low VCCP (I/O termination voltage)
     - Dynamic FSB frequency switching
Processor Power Status Indicator (PSI-2) Signal
 - Both cores are in idle state
 - Only one core is in active state
 - Both cores are in active state

Kernspannung HFM (2,1 GHz):
Kernspannung sLFM (0,8 GHz):

1,0 - 1,25 Volt
0,75 - 0,95 Volt

Temperaturbereich (min/max):

0°C - 105°C (35°C Deep Power Down)

Verlustleistung (min/max):

0,3 Watt (Deep Power Down) / 53,89 Watt

Verlustleistung HFM (TDP):
Verlustleistung sLFM (TDP):

35 Watt
12 Watt

Mikroarchitektur:

Intel Core Mikroarchitektur (1. Generation)
Dual-Core Prozessor mit zwei physikalischen Prozessorkernen
14-stufige Pipeline
Dynamische Ausführung
Extended Memory 64 Technologie

Plattform:

Santa Rosa (Refresh)

Prozessorkern:

Penryn-3M

Prozessorkern Stepping:

M0

Anzahl Kerne:

2

Anzahl Threads:

2

Fertigungstechnologie:

45 nm

Transistoren:

228.000.000

Befehlssatzerweiterungen:

MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3 und SSE4.1

Adressierbarer Speicher:

262.114 GB

Koprozessor:

On-Chip integriert

Integrierter Grafikprozessor:

nein

Integrierte Komponenten:

2 x 64 KB Level1 Cache:

- 8-way set-associative
- je Kern jeweils 32 KB Befehls- und Datencache

3072 KB Level2 Cache:

- advanced transfer Cache
- 12-way set-associative
- gemeinsamer Befehls- und Datencache

Enhanced Floating Point und Multimedia Unit
Address Bus ( (überträgt zwei Datenpakete pro Takt)
Quad-pumped FSB (überträgt vier Datenpakete pro Takt)
Prozessor Thermal Features
 - Thermal Diode
 - Thermal Diode Offset
 - Thermal Monitor
 - Digital Thermal Sensor
 - Out of Specification Detection
 - PROCHOT# Signal

Integrierte Funktionen:

Execute Disable Bit
Virtualization Technology
Speculative execution
Branch prediction

Anmerkung:

k. A.