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Markteinführung der 80186 Embedded-Control CPUs auf Basis der 80x86 Mikroprozessoren war 1982.
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56.000 Transistoren 2,0 µm HMOS Fertigungstechnologie 16 Bit interner Datenbus 16 Bit externer Datenbus 20 Bit Adressbus unterstützt bis zu 1024 KB Speicher
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AMD A80186
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68-Pin CPGA 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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AMD A80186B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CPGA 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt 07/1987
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CPU mit burn-in screening
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AMD A80186-10 AMD A80186-10/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CPGA 10,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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/B-Version mit burn-in screening
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AMD C80186-1 AMD C80186-1/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 10,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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/B-Version mit burn-in screening
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AMD C80186-3
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68-Pin CLCC 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt 09/1985
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AMD C80186-3/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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CPU mit burn-in screening
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AMD C80186-6 AMD C80186-6/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 6,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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/B-Version mit burn-in screening
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AMD CG80186-3 AMD CG80186-3/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CPGA 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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/B-Version mit burn-in screening
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AMD CG80186-6 AMD CG80186-6/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CPGA 6,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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/B-Version mit burn-in screening
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AMD IA80186 AMD IA80186B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CPGA 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -40°C bis +85°C /B-Version mit burn-in screening
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AMD IA80186-10 AMD IA80186-10/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CPGA 10,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -40°C bis +85°C /B-Version mit burn-in screening
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AMD IC80186-3 AMD IC80186-3/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -40°C bis +85°C /B-Version mit burn-in screening
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AMD IC80186-6 AMD IC80186-6/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 6,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -40°C bis +85°C /B-Version mit burn-in screening
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AMD IG80186-3 AMD IG80186-3/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CPGA 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -40°C bis +85°C /B-Version mit burn-in screening
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AMD IG80186-6 AMD IG80186-6/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CPGA 6,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -40°C bis +85°C /B-Version mit burn-in screening
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AMD IR80186 AMD IR80186B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -40°C bis +85°C /B-Version mit burn-in screening
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AMD IR80186-10 AMD IR80186-10/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 10,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -40°C bis +85°C /B-Version mit burn-in screening
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AMD J80186-1 AMD J80186-1/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin PLCC 10,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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/B-Version mit burn-in screening
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AMD J80186-3/B4
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin PLCC 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt 25/1985
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CPU mit burn-in screening
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AMD J80186-6 AMD J80186-6/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin PLCC 6,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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/B-Version mit burn-in screening
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AMD MA80186B AMD MG80186B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CPGA 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -55°C bis +125°C CPU mit burn-in screening
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AMD MA80186-10/B AMD MG80186-10/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CPGA 10,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -55°C bis +125°C CPU mit burn-in screening
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AMD MR80186B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -55°C bis +125°C CPU mit burn-in screening
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AMD MR80186-10/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 10,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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Temperaturbereich -55°C bis +125°C CPU mit burn-in screening
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AMD N80186
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68-Pin PLCC 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt 05/1989
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AMD N80186-10
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68-Pin PLCC 10,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt 19/1988
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AMD R80186
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68-Pin CLCC 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt 44/1986
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AMD R80186B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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/B-Version mit burn-in screening
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AMD R80186-3/B4
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 8,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt 21/1985
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CPU mit burn-in screening
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AMD R80186-10
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68-Pin CLCC 10,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt 24/1988
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AMD R80186-10/B
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CPU-Typ: CPU-Takt: Busbreite intern: Busbreite extern: Adressbus: Transistoren: Technologie: Spannung: Produktionsdatum:
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68-Pin CLCC 10,0 MHz 16 Bit 16 Bit 20 Bit 56.000 HMOS 2,0 µm 5 Volt
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/B-Version mit burn-in screening
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